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高纯钨是一种制造集成电路的基本材料。材料形状可以是箔膜，钨薄片，钨板 钨块 钨靶材，钨细丝，绝缘线，钨直棒，钨圆管，钨粉末，单晶体等。广用作半导体大规模集成电路的门电路电极材料、布线材料和屏蔽金属材料 微电子技术中大规模集成电路集成度的提高对材料提出了更高要求，传统的Si基器件已不再适用。高纯钨或超纯钨(5N或6N)由于具有高电子迁移抗力、高温稳定性以及非常高的电子发射系数，广用作半导体大规模集成电路的门电路电极材料、布线材料和屏蔽金属材料。高属钨靶是制造集成电路的基本材料之一，其市场前景与集成电路发展密切相关；若钨靶纯度不高，将造成大规模集成电路的作业可靠性降低，甚至产生泄电现象。采用高纯钨，可减少甚至消除有害杂质的影响，提高终端产品的性能。高纯钨的纯度达到99.999%和99.9999%，记为5N和6N的纯钨。它的各种杂质元素含量应在(0.1～1000)×10-12之间，对于某些杂质元素的含量，如放射性元素、碱金属元素、重金属元素和气体元素等还分别有特殊的要求 南汇区 徐汇区、普陀区、杨浦区、浦东新区、闵行区、宝山区、嘉定区、金山区、松江区、青浦区、奉贤区、崇明区
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