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场效应管通常分为两类:JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极,分别为:栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛,JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS,下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的:在N型硅衬底上做了两个P型半导体的P+区,这两个区分别叫做源极S和漏极D,在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。
我之所已这样编写,是为了仿真方便,给大家演示。这个是靠时间实现的。我分享二个编写梯形图:我这样用的是ALT指令,交替输出指令,这个比较简单,在我没有给M10上升沿信号的时候,是Y1是吸合的。这是我给了M10上升沿信号,ALT指令输出,M12线圈吸合,然后Y0线圈吸合,Y1线圈失电。大家是实践中的时候,需要吧M10换成想X10,也就是PLC的输入信号。我在所有的编程梯形图里用的都是上升沿编程指大家在实践中,也可以用梯形图的编程指令中下降沿和常开触点。
主营行业:IC电子回收 |
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主营地区:全国范围上门回收 |
企业类型:个体经营 |
注册资金:人民币100万 |
公司成立时间:2010-01-01 |
员工人数:5 - 10 人 |
研发部门人数:5 - 10 人 |
经营模式:生产型 |
经营期限:1999-01-01 至 2051-01-01 |
最近年检时间:2021年 |
是否提供OEM:否 |
公司邮编:201400 |
公司邮箱:2595709291@qq.com |
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