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为加工更细的线宽，EUV(极紫外)光刻技术或电子束光刻技术将替代目前的193nm浸没式光刻技术。从经济生产规模出发，采用18英寸(450nm)晶圆和建设单片晶圆全自动生产线或将是新的解决方案。可以想象到5/3nm及以下特征尺寸时，半导体芯片工艺又将进入一个相对全新的时代。
