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只要想在中国市场分羹的各大手机厂商，肯定会产生非常多的用不上的ic芯片呆料，别着急真的就扔咯，当年苹果单靠着回收ic芯片、回收ic主板都为自己节约了上10亿成本。
内存时序，就是CPU从内存中找到数据的延时时间，相同规格下（DDR代数、频率等等），时序越小，延时越低，内存性能越好。
为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)。
Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是一种命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。
闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
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