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Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是一种命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。

闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。

DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

芯片，又称微电路、微芯片、集成电路。指内含集成电路的硅片，体积很小，作用很大。有人做了形象的比喻，如果把中央处理器CPU比喻为整个电脑或者手机系统的心脏，那么主板上的芯片组就是整个身体的躯干。

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集成电路的技术水平和发展规模是衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一，芯片的研发与生产能力，也是衡量一个国家创新实力的重要指标。
芯片制造，要将沙子，经过筛选和熔炼，能够冶炼出高纯度的硅（Si），制作成硅锭，然后将硅锭切割成薄片，也就是晶圆（Wafer）开始，到后测试、切割、封装，就成为了我们平时能够看到的CPU芯片。整个制作流程，将近5000道工序，把数亿个晶体管，在一片只有指甲盖大小的硅晶片上制造出来，还要进行复杂的逻辑设计，难度不亚于把全国的路网，规划到这一点点的空间里面。
据世界半导体贸易统计组织(WSTS)数据显示，2018年半导体总销量预计可达4510亿美元(约2.86万亿元)，同期增长9.5%。中国是全世界大的半导体消费国，占芯片需求量的超50%。