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为加工更细的线宽，EUV(极紫外)光刻技术或电子束光刻技术将替代目前的193nm浸没式光刻技术。从经济生产规模出发，采用18英寸(450nm)晶圆和建设单片晶圆全自动生产线或将是新的解决方案。可以想象到5/3nm及以下特征尺寸时，半导体芯片工艺又将进入一个相对全新的时代。
Vf≤1.4V，快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。 电阻损坏的特点： 电阻是电器设备中数量多的元件，但不是损坏率的元件。因此，放大用二极管通常是指二极管、体效应二极管和变容二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。
