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黄浦区IGBT模块回收报价及图片英飞凌模块

更新时间:2025-02-03 05:52:22 编号:6834nrul6e97de
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吴增宝

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由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅通过一层氧化膜与发射实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅击穿是IGBT失效的常见原因之一。

IGBT的应用领域
按电压分布的应用领域
1、新能源汽车
IGBT模块在电动汽车中发挥着至关重要的作用,是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件。IGBT模块占电动汽车成本将近10%,占充电桩成本约20%。IGBT主要应用于电动汽车领域中以下几个方面:
A)电动控制系统 大功率直流/交流(DC/AC)逆变后驱动汽车电机;
B)车载空调控制系统 小功率直流/交流(DC/AC)逆变,使用电流较小的IGBT和FRD;
C)充电桩 智能充电桩中IGBT模块被作为开关元件使用;
2、智能电网
IGBT广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端:
从发电端来看,风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都需要使用IGBT模块。
从输电端来看,特高压直流输电中FACTS柔性输电技术需要大量使用IGBT等功率器件。
从变电端来看,IGBT是电力电子变压器(PET)的关键器件。
从用电端来看,家用白电、 微波炉、 LED照明驱动等都对IGBT有大量的需求。
3、轨道交通
IGBT器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种变流器的主流电力电子器件。交流传动技术是现代轨道交通的核心技术之一,在交流传动系统中牵引变流器是关键部件,而IGBT又是牵引变流器核心的器件之一。

静态特性
三菱制大功率IGBT模块
三菱制大功率IGBT模块
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。高栅源电压受大漏极电流限制,其佳值一般取为15V左右。

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