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整个炉内的一氧化硅与的混合气体(包 括坩埚支持器下方的混合气体)能通畅地排出炉外,整个炉内不存在排气 不畅的地方,即不存在排气死角,既有效地防止了一氧化硅气体对加热器 和坩埚支持器等石墨器件的腐蚀,还可使吸附在这些石墨器件上的杂质粉 尘减少30%以上,从而确保了该炉的使用寿命,使所述石墨器件的使用寿 命从原来的90炉次提高11G炉次以上,另外还可对硅晶体的生长过程起 到稳定作用,使平均成品率从原来的65%提高68%以上,并可提高单晶 的内在质量。本发明的气流导向装置的一对通气孔与该炉的 一对排气口相 对设置,缩短了排气管路,利于提高排气效率。
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直拉法,也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法,用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产,易于制备大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以制备低电阻率单晶。据统计,世界上硅单晶的产量中70%~80%是用直拉法生产的。江南电力光伏科技有限,引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种,具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)DR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权,是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的设备。装料量从95Kg~150Kg,可拉制6"~12"电路级和太阳能级单晶硅棒。分子泵回收,真空泵回收,真空流量计回收,plc编程回收,控制屏回收,离子泵回收,涡轮分子泵回收,螺杆真空泵回收,涡旋高真空泵回收,直拉法,也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法,用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产,易于制备大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以制备低电阻率单晶。据统计,世界上硅单晶的产量中70%~80%是用直拉法生产的。江南电力光伏科技有限,引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种,具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)DR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权,是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的设备。装料量从95Kg~150Kg,可拉制6"~12"电路级和太阳能级单晶硅棒。
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