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直拉式单晶生长炉的制作方法、专利名称：直拉式单晶生长炉的制作方法、技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法制造硅单晶的单晶炉剖面示意图；图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为炉底护盘、12为输 入管、11为分布有出气孔11-1的环形气体分布器、13为排气口。直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入，并与炉内生成的 一氧化硅及杂质粉尘混合，由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器 件上，从而影响了单晶炉的使用寿命。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，提拉式单晶炉特点籽晶提拉及旋转部件:实现了籽晶轴较高转速时的系统平稳性；籽晶轴旋转及提拉密封均采用的磁流体密封组件，无泄露，长期使用不需充磁；精密花键轴及各驱动直流伺服电机均为进口件，确保系统具有很高的可靠性。提拉头经过严格的静平衡和动平衡测试，高速旋转下籽晶晃动小于2mm，适应半导体工艺需求。坩埚升降及旋转部件:使用超大铸铁立柱、双滚动直线导航、精密滚珠丝杠以及进口等功能件组合设计，确保坩埚系统在超重低速工况下长期平稳运行。浮动式翻板阀设在主副炉室之间，可在热场维持工艺温度的情况下，取出晶体，更换籽晶和补充加料进行连续拉晶。