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在国内设计、制造和封测三业并举、协调发展的格局下，预计2017年国内半导体产业速区间为18%~25%。≤3.5PF，快恢复二极管或超快恢复二极管可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管，也会产生大约0.
2CN3H 硅二极管 V， 电解电容的原理 电解电容器通常是由金属箔作为正电极，金属箔的绝缘氧化层作为电介质，电解电容器以其正电极的不同分为铝电解电容器和钽电解电容器。 2. 精度 电容的精度定义与电阻类似，同样用来表示电容实际值与标称值的差异。 临近效应对多层扁平绕组的影响非常显著，造成的损耗将是正常水平下损耗的近百倍。稳压二极管的反向击穿电压恒定，在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期并不会损坏。
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