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单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。1、主机部分：机架，双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2、加热器电源：全水冷电源装置采用专利电源或原装进口IG及超快恢复二极管等功率器件。配以高频变压器，构成新一代高频开关电源。采用移相全桥软开关（ZVS）及CPU控制技术，提高了电能转换效率，不需要功率因数补偿装置。3、计算机控制系统：采用PLC和上位工业平板电脑PC机，配备大屏幕触摸式HMI人机界面、高像素CCD测径 ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA监控系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。

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专利文献CN1205362C公开了 一种直拉硅单晶炉热场的气流控制方 法及装置，其包括在单晶炉晶体生长室内的石墨加热器和保温筒间装有密 封导气装置，使含有一氧化硅的气体的气流经密封导气装置的导气管 及排气口，在真空泵的作用下，排出炉外。密封导气管装置由导气管、底 座、密封环、排气口所组成，安装在石墨加热器和保温筒之间。上述现有技术的不足之处在于单晶炉的坩埚支持器下方的混合气体 不能有效的排出，从而使混合气体中的一氧化硅对加热器和坩埚进行腐蚀， 影响单晶炉的使用寿命。且其向炉内充入时的充气气压在1. 3xi0a 以上，导致其流量较大，故而消耗量大，生产成本较高。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，进一步为了方便外部加料器的移动、拆卸和清理，连续拉晶单晶炉还包括用于驱动外部加料器升降的加料器升降驱动装置和用于驱动外部加料器旋转的加料器旋转驱动装置，所述外部加料器通过加料器旋臂连接在加料器升降驱动装置上，以便通过加料器升降驱动装置驱动加料器旋臂升降，并通过加料器旋臂带动外部加料器升降，所述加料器旋转驱动装置连接在加料器升降驱动装置和加料器旋臂之间，以便加料器旋转驱动装置随加料器旋臂一起升降，并通过加料器旋转驱动装置驱动加料器旋臂旋转，加料器旋臂又带动外部加料器旋转。进一步提供了一种加料器升降驱动装置的具体结构，所述加料器升降驱动装置包括升降丝杆、拖板和丝杆旋转驱动装置，底座上设置有立柱，所述升降丝杆可旋转地支承在立柱上，所述拖板通过螺纹连接在升降丝杆上，所述加料器旋臂连接在拖板上，所述升降丝杆连接在丝杆旋转驱动装置上，以便通过丝杆旋转驱动装置驱动升降丝杆旋转，进而将升降丝杆的旋转运动转换为加料器旋臂的升降运动。