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STL7N6F7,ST意法场效应管原装供货

更新时间:2025-02-15 02:05:43 编号:622ajecv4b56aa
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  • ST意法场效应管MOSFET原装系列

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周玉军

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产品详情

STL7N6F7,ST意法场效应管原装供货

关键词
ST意法场效应管MOSFET原装系列
面向地区

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G071KBU6功能描述:
主流Arm Cortex-M0+ MCU,具有128 KB Flash存储器、36 KB RAM、64 MHz CPU、4x USART、定时器、ADC、DAC和通信接口,1.7-3.6V
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STFU10N80K5
STFU10NK60Z
STFU13N65M2
STFU15N80K5
STFU16N65M2
STFU23N80K5
STFW1N105K3
STFW2N105K5
STFW3N170
STFW45N65M5
STFW8N120K5
STH10N80K5-2AG
STH12N120K5-2
STH15810-2
STH30N65DM6-7AGST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。

VNH5200ASTR性能特性:
汽车认证
输出电流:8安
3 V CMOS兼容输入
欠压关闭
过压箝位
热关机
交叉传导保护
电流和功率限制
非常低的待机功耗
防止土地流失和VCC流失
电流检测输出与电机电流成比例
输出受到接地短路和V短路保护抄送
包装:生态包®
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STF36N60M6
STF38N65M5
STF3LN80K5
STF3N62K3
STF3NK100Z
STF3NK80Z
STF3NK90Z(046Y)
STF40N60M2
STF42N65M5
STF43N60DM2
STF45N65M5
STF46N60M6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配,易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围,可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分MOSFET型号:
STB100NF03L-03T4
STB10LN80K5
STB11N65M5
STB11NK40ZT4
STB11NK50ZT4
STB120NF10T4
STB12NM50ND
STB13N60M2
STB13N80K5
STB13NM60N
STB14NK50ZT4
STB150NF04
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!

STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
所有功能:
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数(FoM)
极低的栅极电荷
经过100%雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STB6N60M2
STB6NK60ZT4
STB6NK90ZT4
STB75NF20
STB75NF75LT4
STB75NF75T4
STB80NF10T4
STB80NF55L-08-1
STB8NM60T4
STB9NK50ZT4
STD100N10F7
STD100N3LF3
STD10LN80K5
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

STB28N65M2
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,D2PAK封装
这些器件是采用 MDmesh™ M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。由于其带状布局和改进的垂直结构,这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求苛刻的率转换器。
极低的栅极电荷
出色的输出电容 (C开放源码软件) 简介
雪崩测试
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STD10NF10T4
STD10NM60N
STD10NM60ND
STD10P10F6
STD10P6F6
STD10PF06-1
STD10PF06T4
STD110N8F6
STD11N50M2
STD11N60DM2
STD11N65M2
STD11N65M5
STD12N50M2
STD12N60DM2AG
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

STD100N10F7
N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
处于市面上低的 RDS(on) 行列
出色的品质因数(FoM)
较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
坚固的抗雪崩能力
STD100N3LF3:
N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET,DPAK封装
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STD1NK60-1
STD1NK60T4
STD1NK80ZT4
STD20NF06T4
STD20NF20
STD25N10F7
STD25NF10LA
STD25NF10LT4
STD25NF10T4
STD25NF20
STD26P3LLH6
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

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详细资料

主营行业:IC集成电路
公司主营:MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片
主营地区:深圳
企业类型:有限责任公司(自然人独资)
注册资金:人民币1000000万
公司成立时间:2018-12-27
经营模式:生产+贸易型
最近年检时间:2018年
登记机关:南山局
经营范围:电子元器件、电子产品、数码产品、通讯产品的技术开发、技术服务与销售;投资兴办实业(具体项目另行申报);经营电子商务;商务信息咨询;互联网科技产品、计算机软硬件的研发与销售;国内贸易;经营进出口业务。(以上项目法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)^
公司邮编:518000
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