STB23NM60ND，ST场效应管原装供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元（FPU），支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP（数字信号处理）指令和存储器保护单元（MPU），从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器（512 KB 闪存和 128 KB SRAM）、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 （FSMC）（适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备）、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF13N60M2
STF13N65M2
STF13N80K5
STF13N95K3
STF13NK50Z
STF13NM60N
STF13NM60ND
STF140N6F7
STF14N80K5
STF14NM50N
STF15N65M5
STF15N80K5
STF15NM65N
STF16N65M5ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

STB47N50DM6AG
汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装
符合 AEC-Q101 标准
快速恢复体二极管
较低的RDS（开启）单位面积与上一代相比
低栅极电荷、输入电容和电阻
雪崩测试
的 dv/dt 性
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD12NF06LT4
STD13N60DM2
STD13N60M2
STD13N60M6
STD13NM60N
STD13NM60ND
STD140N6F7
STD15N50M2AG
STD15N60DM6
STD15NF10T4
STD15P6F6AG
STD16N50M2
STD16N60M6
STD16N65M2
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STD12N60DM2AG
汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装
STD12NF06LT4
N 沟道 60 V、典型值 70 mOh、12 A、条形场效应晶体管 II 功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，该功率MOSFET系列采用意法半导体特的STripFET™工艺开发，该工艺设计用于小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的隔离式DC-DC转换器的主开关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD3NK100Z
STD3NK50ZT4
STD3NK60Z-1
STD3NK80Z-1
STD3NK80ZT4
STD3NK90ZT4
STD40NF03LT4
STD40NF10
STD45N10F7
STD4LN80K5
STD4N80K5
STD4N90K5
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！