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山东铜电化学沉积的动态硅通孔填充⼯艺半导体,TSV电镀

更新时间:2024-05-03 10:01:01 编号:df3kcm31vbe9db
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  • 硅通孔填充⼯艺,铜电化学沉积,动态硅通孔填充⼯艺,TSV电镀

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徐发杰

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山东硅通孔填充⼯艺,硅通孔填充⼯艺TSV,硅通孔填充⼯艺晶圆,芯片键合封装
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山东铜电化学沉积的动态硅通孔填充⼯艺半导体,TSV电镀

目前对TSV填充的研究主要集中在条件优化和填充机理上。
为了实现⽆缺陷的 TSV 填充,电镀溶液中的特定添加剂,即
氯离⼦、抑制剂和促进剂进⾏了深⼊研究 。与特定添加剂和
通孔结构相对应的佳电沉积参数已被⼴泛研究。. 在这些参
数中,电流密度对填充形态的影响尤为显着。尽管特定的添
加剂可以有效地实现⽆缺陷填充,但所需的步骤很复杂,沉
积速率低,相关成本⾼。为了克服添加剂辅助填充⽅法的缺
陷,⼴泛研究了脉冲电流、脉冲反向电流、周期性脉冲反向
电流和多步电流等电镀电流波形. 同时,已经引用了⼏种机制
来解释⽆缺陷填充过程,例如传统的流平模型、对流相关吸
附模型、时间相关传输-吸附模型和曲率增强加速器覆盖模
型。动态 TSV 填充对于 TSV 填充研究的各个⽅面都很重要。
它是优化条件的基础,反映了填充模型的机制。然⽽,现有
的研究只关注在特定时刻获得的填充结果。很少系统地研究
连续和全面的动态 TSV 填充过程。在这项研究中,我们通过
在不同电流密度下的分阶段电沉积实验证明了 TSV 动态填充
过程。获得了实现⽆缺陷填充的佳电流密度。讨论了电流
密度对填充模型的影响。此外,镀层的形态演变表明,局部
沉积速率受镀层⼏何特征的影响。

北京汐源科技有限公司
随着电子产品 半导体产品不断的更新换代 在国家对高科技产业的大力支持下 汐源科技同时也为电子 半导体行业提供良好的保障。
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我们的电子化学材料含括:粘接胶 灌封材料 导电 导热界面材料 裸芯粘接材料 COB包封材料 CSP/Flip chip/BGA底部填充胶 贴片胶 电子涂料 UV固化材料。应用范围涉及电子元器件 电子组件 电路板组装 显示及照明工业 通讯 汽车电子 智能卡/射频识别 航天航空 半导体封装 晶圆划片保护液 晶圆临时键合减薄 键合金丝等领域。

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TSV 填充
TSV 填充电镀铜有三种⽅法:
共形电镀,自下⽽上的密封凸点电镀, 和超共形电镀。电镀⽅法是以各种三维
集成应用为基础的。总的来说, TSV 的结构是深度在 10 到 200μm 之前的典型
的圆柱形孔。TSV 的深度 取决于芯片或晶圆键合时的所需厚度,⽽ TSV 纵横
比的⼤小则由介电 膜、阻挡层和种⼦层和填充过程决定的。

STYCAST 2561/CAT 11
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 23LV
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 11
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 23 LV
乐泰 STYCAST 2850KT/CATALYST 9
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乐泰 STYCAST 50500D
乐泰 STYCAST A312
乐泰 STYCAST E1070
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乐泰 STYCAST EFF15 SYNTACTIC FOAM POWDER
乐泰 STYCAST U2500
LOCTITE ABLESTIK 104
LOCTITE ABLESTIK 16-1
LOCTITE ABLESTIK 2000
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小型喷镀机台
配备有Stir Cup适用于研发以及小批量生产。
特别适合于镀孔,Sn/Ag电镀,Cu pillar等电镀制程。
体积小,可对应2寸到8寸晶圆电镀。
只需使用10L或更少的镀液。
配备循环过滤器
配备供排液泵。
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厚膜导电胶84-1A 84-1LMI 84-1LMIT1 JM7000 84-3 2025D
厚膜电路胶膜 506胶膜 5020胶膜 厚膜电路灌封胶 厚膜电路用胶 IGBT灌封胶
84-3J绝缘胶 芯片绝缘胶 乐泰导电胶 乐泰三防漆3900, 乐泰绝缘胶,芯片封装胶,
光纤胶,光耦胶,电路灌封胶,传感器灌封胶,电源灌封胶,乐泰UF3808底部填充胶 底部填充剂 微波器件导电胶,低应力底部填充胶,高导热灌封胶,BGA底部填充剂,BGA导热胶,DAF膜,FOW胶膜,DAF胶膜,导电胶膜,导热胶膜,芯片胶膜,封装胶膜,IC胶膜,晶圆胶膜,UF1173射频器件底部填充胶,高频传输胶,相位胶,5G底部填充胶,基站胶。
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北京汐源科技有限公司
  • 毛杨杨
  • 北京 朝阳
  • 有限责任公司(自然人投资或控股)
  • 2016-02-02
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  • 灌封胶水
  • 灌封胶,三防漆,导电胶,导热垫片
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