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直拉法，也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。据统计，世界上硅单晶的产量中70％～80％是用直拉法生产的。目前晶体生长设备的现状\江南电力光伏科技有限江南电力光伏科技有限，引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种，具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的设备。装料量从95Kg～150Kg，可拉制6"～12"电路级和太阳能级单晶硅棒。

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单晶炉真空系统的除尘技术/单晶炉是单晶体生长设备。单晶体生长要求在真空和惰性气体中进行。真空装置应能保炉体内热真空度达5×1024mm 柱以上。如果使用惰性气体作保护气氛，炉体上、下都设有进出气的气口。生长单晶体时，抽真空及真空装置注入惰性气体后都需配备除尘装置。西安理工大学工厂生产的混合式除尘器较好地解决了这一问题。本厂单晶炉系列：TDR262A (B)、TDR280、TDR270A 等多种炉型近百台产品都使用这种除尘器。实践明，它的主要优点是除尘，能适应不同抽气阶段真空度的要求，容尘量大。其具体结构见图2、图3。该除尘器综合运用离心力、惯性碰撞、接触阻留、扩散这几种除尘机理。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，全文摘要为减少直拉式单晶生长炉的消耗的技术问题，本发明提供了一种直拉式单晶生长炉，其包括输入管、与输入管相连通的环形气体分布器；其特征在于经输入管输入的气压为0.8×10³Pa0.9×10³Pa，流量为30L/min。还包括设于坩埚支持器下方和排气口之间的碗形气流导向装置；其包括中轴孔、一对电极孔、以及与排气口相对的通气孔；石墨中轴穿过所述气流导向装置的中轴孔，所述电极柱分别穿过所述电极孔，排气口与气流导向装置的各通气孔相连通，气流导向装置的上端部设于保温筒与发热体之间。